I requisiti fondamentali per le schede dei circuiti dei centri di elaborazione dati sono solitamente i seguenti:
✅ Elevata integrità del segnale (≤ Perdita di inserzione di 0,5 dB)
✅ Elevata efficienza di dissipazione del calore (Δ T ＜ 10 °C /strato)
✅ Integrazione ad alta densità (≥ 20 strati)
❌ Basso consumo energetico (ondulazione di potenza<1%)
❌ Basso tasso di guasto (MTBF>100000 ore)
Nel processo di produzione e assemblaggio ci concentriamo sulle seguenti 7 aree:
Utilizzando la serie Rogers RO4000 o Panasonic Megtron 6, si riduce la perdita di trasmissione del segnale a 10 GHz+ (Df<0,002).
Utilizzare qualsiasi tecnologia HDI a strati con apertura ≤ 0,1 mm e larghezza/spaziatura delle linee ≤ 0,05 mm.
Substrato metallico (alluminio/rame) o blocco di rame incorporato per la dissipazione del calore (riduzione della temperatura locale di 15-20 ℃).
Scheda multistrato con dissipazione del calore integrata attraverso fori (Thermal Via), conduttività termica>200 W/m • K.
Imaging diretto laser (LDI): consente di ottenere una precisione della larghezza della linea di ± 5 μ m e riduce la distorsione grafica.
Riempimento mediante elettrodeposizione a impulsi: assicurarsi che i micropori con un elevato rapporto di aspetto (10:1) siano riempiti senza vuoti.
Lo strato del segnale ad alta frequenza utilizza l'Ag a immersione chimica per ridurre la perdita del segnale.
Lo strato di potenza utilizza ENEPIG, che soddisfa i requisiti di resistenza all'usura per inserimenti e rimozioni multipli.
Per montare componenti confezionati 01005 e BGA (passo delle sfere 0,35 mm) viene utilizzata un'attrezzatura SMT completamente automatica (precisione ± 15 μ m).
Saldatura a riflusso sotto vuoto: porosità<3% (traditional process is 5-15%), improving the reliability of high-power chips.
Saldatura selettiva: evita danni secondari ai componenti sensibili causati dal calore elevato.
Iniettare resina epossidica nei chip BGA ad alta densità per ridurre le crepe nei giunti di saldatura causate da sollecitazioni meccaniche.
La tolleranza di impedenza differenziale di ± 5% richiede l'ottimizzazione della simulazione del campo elettromagnetico 3D (come HFSS o CST).
Adottando una struttura impilata 2N+2 (dove N è lo strato del segnale), lo strato di potenza dedicato riduce l'ondulazione (<30mV).
Nelle vicinanze vengono posizionati condensatori ESL (induttanza equivalente in serie) ultra bassi per sopprimere il rumore ad alta frequenza.
Test del diagramma a occhio: il segnale 28 Gbps+SerDes deve rispettare un margine altezza/larghezza dell'occhio del 20%.
TDR (Time Domain Reflectance): rileva i punti di transizione dell'impedenza (errore<5%).
Il dispositivo di imaging termico a infrarossi individua i punti caldi per garantire che la temperatura di giunzione del chip sia inferiore a 85 ℃ (sotto carico a lungo termine).
Funzionando ininterrottamente per 1000 ore in un ambiente con 85 ℃/85% di umidità, il tasso di guasto è inferiore allo 0,01%.
Il modulo di alimentazione principale adotta la ridondanza N+1 e supporta la sostituzione a caldo.
Progettare barre di rinforzo attorno ai fori di installazione ed eseguire test di vibrazione casuale a 20-2000 Hz (IEC 60068-2-64).
Il design modulare supporta una rapida sostituzione (ad esempio, la durata dello slot PCIe è superiore a 100.000 inserimenti e rimozioni).
sono conformi alla norma IEC 61249-2-21, riducendo il rilascio di sostanze tossiche.
Efficienza di conversione della potenza >96% (standard di certificazione 80Plus Titanium).
Rugosità della lamina di rame ≤ 1,5 μ m (riduce la perdita dell'effetto pelle ad alta frequenza).
